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FET，MOSFET - 單個

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APTM100DA18CT1G

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參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
POWER MOS 8?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
1000V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
40A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
216 毫歐 @ 33A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
570nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
14800pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
657W（Tc）
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
供應商器件封裝
SP1
封裝/外殼
SP1
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P CH 30V 4.8A 8-SO
暫無價格
參考庫存:103504
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
暫無價格
參考庫存:7996
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP
暫無價格
參考庫存:4795
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1050V 4A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:8089
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
暫無價格
參考庫存:8276
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