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FET，MOSFET - 單個
BSP123E6327T參考圖片

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BSP123E6327T

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
SIPMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
370mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.8V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
6 歐姆 @ 370mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.8V @ 50μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
2.4nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
70pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.79W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-SOT223-4
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
暫無價格
參考庫存:52036
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 8WDFN
暫無價格
參考庫存:52052
FET，MOSFET - 單個
MOSFET NCH 40V 13A POWERDI
暫無價格
參考庫存:52062
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V AUTO TO-252
暫無價格
參考庫存:52086
FET，MOSFET - 單個
MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506
暫無價格
參考庫存:32616
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