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FET,MOSFET - 單個
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IPD60R2K0C6BTMA1

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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
標準卷帶
系列
CoolMOS?
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
2.4A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
2 歐姆 @ 760mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 60μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
6.7nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
140pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
22.3W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PG-TO252-3
封裝/外殼
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
商品其它信息
優(yōu)勢價格,IPD60R2K0C6BTMA1的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N CH 650V 11A DPAK
暫無價格
參考庫存:13810
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP
暫無價格
參考庫存:8707
FET,MOSFET - 單個
SIC MOS TO247-3L 20MW 120
暫無價格
參考庫存:2846
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK
暫無價格
參考庫存:24080
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
暫無價格
參考庫存:16322
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