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FET，MOSFET - 單個
FQD19N10LTM參考圖片

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FQD19N10LTM

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
QFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
15.6A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
100 毫歐 @ 7.8A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
18nC @ 5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
870pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），50W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D-Pak
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 123A TO262
暫無價格
參考庫存:48289
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
暫無價格
參考庫存:48297
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
暫無價格
參考庫存:48329
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
暫無價格
參考庫存:48385
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 34A D2PAK
暫無價格
參考庫存:48393
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