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FET，MOSFET - 射頻
A2T18H410-24SR6參考圖片

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A2T18H410-24SR6

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • IC TRANS RF LDMOS
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
晶體管類型
LDMOS（雙）
頻率
1.81GHz
增益
17.4dB
電壓 - 測試
28V
額定電流（安培）
-
噪聲系數
-
電流 - 測試
800mA
功率 - 輸出
71W
電壓 - 額定
65V
封裝/外殼
NI-1230-4LS2L
供應商器件封裝
NI-1230-4LS2L
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583
暫無價格
參考庫存:8972
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 65V 945MHZ M243
暫無價格
參考庫存:8556
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 65V 16.2DB SOT12587
暫無價格
參考庫存:36646
FET，MOSFET - 射頻
TRANS 900-1215MHZ 1000W 52V
暫無價格
參考庫存:36662
FET，MOSFET - 射頻
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
暫無價格
參考庫存:36670
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