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存儲器
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S34MS02G104BHI010

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數(shù)據(jù)手冊
參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
托盤
系列
MS-1
零件狀態(tài)
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
閃存
技術(shù)
閃存 - NAND
存儲容量
2Gb (128M x 16)
存儲器接口
并聯(lián)
時(shí)鐘頻率
并聯(lián)
寫周期時(shí)間 - 字,頁
45ns
訪問時(shí)間
45ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.95V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
63-VFBGA
供應(yīng)商器件封裝
63-BGA(11x9)
商品其它信息
優(yōu)勢價(jià)格,S34MS02G104BHI010的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價(jià)格庫存數(shù)量
存儲器
IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
暫無價(jià)格
參考庫存:26604
存儲器
IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA
暫無價(jià)格
參考庫存:26612
存儲器
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
暫無價(jià)格
參考庫存:26620
存儲器
IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
暫無價(jià)格
參考庫存:26628
存儲器
IC PSRAM 16M PARALLEL 54VFBGA
暫無價(jià)格
參考庫存:26636
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