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存儲器

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TH58BYG3S0HBAI6

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
Benand?
零件狀態
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
閃存
技術
FLASH - NAND（SLC）
存儲容量
8Gb （1G x 8）
存儲器接口
-
時鐘頻率
-
寫周期時間 - 字，頁
25ns
訪問時間
25ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.95V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
67-VFBGA
供應商器件封裝
67-VFBGA（6.5x8）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP
暫無價格
參考庫存:54566
存儲器
IC SRAM 36K PARALLEL 68PLCC
暫無價格
參考庫存:54574
存儲器
IC SRAM 512K PARALLEL 84PLCC
暫無價格
參考庫存:54582
存儲器
IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:54590
存儲器
IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP
暫無價格
參考庫存:54598
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