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存儲器

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IS43DR86400D-3DBLI

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
SDRAM - DDR2
存儲容量
512Mb （64M x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
333MHz
寫周期時間 - 字，頁
15ns
訪問時間
450ps
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.9V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
60-TFBGA
供應商器件封裝
60-TWBGA（8x10.5）
商品其它信息
優勢價格，IS43DR86400D-3DBLI的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:24824
存儲器
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:24832
存儲器
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:24840
存儲器
IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II
暫無價格
參考庫存:24848
存儲器
IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC
暫無價格
參考庫存:24856
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