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存儲器
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IS61NVP25636A-200TQLI-TR

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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
標(biāo)準(zhǔn)卷帶
系列
-
零件狀態(tài)
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術(shù)
SRAM - 同步,SDR
存儲容量
9Mb (256K x 36)
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
200MHz
寫周期時間 - 字,頁
-
訪問時間
3.1ns
電壓 - 電源
2.375V ~ 2.625V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
100-LQFP
供應(yīng)商器件封裝
100-TQFP(14x20)
商品其它信息
優(yōu)勢價格,IS61NVP25636A-200TQLI-TR的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
存儲器
IC EEPROM 16K SPI 3MHZ 8TSSOP
暫無價格
參考庫存:29573
存儲器
IC FLASH 8M PARALLEL 48CBGA
暫無價格
參考庫存:29581
存儲器
IC EEPROM 1K SPI 2MHZ WAFER
暫無價格
參考庫存:29589
存儲器
IC EEPROM 512K I2C 400KHZ WAFER
暫無價格
參考庫存:29597
存儲器
IC FLASH 512K SPI 33MHZ 8CSP
暫無價格
參考庫存:29605
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