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存儲器

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MT29F2T08CUHBBM4-3R:B

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參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
存儲器類型
非易失
存儲器格式
閃存
技術
閃存 - NAND
存儲容量
2Tb（256G x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
333MHz
寫周期時間 - 字，頁
-
訪問時間
-
電壓 - 電源
2.5V ~ 3.6V
工作溫度
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型
-
封裝/外殼
-
供應商器件封裝
-
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH 1G SPI 166MHZ TBGA
暫無價格
參考庫存:30053
存儲器
IC FLASH 512M PARALLEL 64TBGA
暫無價格
參考庫存:30061
存儲器
IC FLASH 4G SPI UPDFN
暫無價格
參考庫存:30069
存儲器
IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
暫無價格
參考庫存:30077
存儲器
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
暫無價格
參考庫存:30085
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