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產品分類

存儲器
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MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B

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參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
存儲器類型
非易失
存儲器格式
閃存
技術
閃存 - NAND
存儲容量
768Gb(96G x 8)
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
333MHz
寫周期時間 - 字,頁
-
訪問時間
-
電壓 - 電源
2.5V ~ 3.6V
工作溫度
0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
132-VBGA
供應商器件封裝
132-VBGA(12x18)
商品其它信息
優勢價格,MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
暫無價格
參考庫存:54621
存儲器
IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
暫無價格
參考庫存:54631
存儲器
IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
暫無價格
參考庫存:54639
存儲器
IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
暫無價格
參考庫存:54647
存儲器
IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:54655
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