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產品分類

存儲器
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AS6C2008-55BINTR

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM - 異步
存儲容量
2Mb （256K x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字，頁
55ns
訪問時間
55ns
電壓 - 電源
2.7V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
36-TFBGA
供應商器件封裝
36-TFBGA（6x8）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC EPROM 1M PARALLEL 32PLCC
暫無價格
參考庫存:34752
存儲器
IC EEPROM 32K SPI 3MHZ 20TSSOP
暫無價格
參考庫存:34760
存儲器
IC EPROM 512K PARALLEL 28DIP
暫無價格
參考庫存:34776
存儲器
IC EEPROM 128 I2C 400KHZ 8TSSOP
暫無價格
參考庫存:34784
存儲器
512K X 36 (18MEG) SQ II+ SIO B2
暫無價格
參考庫存:34792
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