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存儲器
MT45W4MW16BBB-706 WT TR參考圖片

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MT45W4MW16BBB-706 WT TR

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
易失
存儲器格式
PSRAM
技術
PSRAM(偽 SRAM)
存儲容量
64Mb (4M x 16)
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字,頁
70ns
訪問時間
70ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.95V
工作溫度
-30°C ~ 85°C(TC)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
54-VFBGA
供應商器件封裝
54-VFBGA(6x9)
商品其它信息
優勢價格,MT45W4MW16BBB-706 WT TR的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA
暫無價格
參考庫存:34786
存儲器
IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA
暫無價格
參考庫存:34794
存儲器
IC FLASH 32M SPI 66MHZ 28TSOP
暫無價格
參考庫存:34802
存儲器
IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP
暫無價格
參考庫存:34810
存儲器
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
暫無價格
參考庫存:34818
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