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產品分類

存儲器
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MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A

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參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
閃存
技術
閃存 - NAND
存儲容量
1Tb （128G x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
333MHz
寫周期時間 - 字，頁
-
訪問時間
-
電壓 - 電源
2.5V ~ 3.6V
工作溫度
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
132-VBGA
供應商器件封裝
132-VBGA（12x18）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
暫無價格
參考庫存:49375
存儲器
IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA
暫無價格
參考庫存:49383
存儲器
IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
暫無價格
參考庫存:49391
存儲器
IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
暫無價格
參考庫存:49399
存儲器
IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA
暫無價格
參考庫存:49407
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