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存儲器
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IDT6116LA35TPGI

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM - 異步
存儲容量
16Kb （2K x 8）
存儲器接口
并聯
寫周期時間 - 字，頁
35ns
訪問時間
35ns
電壓 - 電源
4.5V ~ 5.5V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
24-DIP（0.300"，7.62mm）
供應商器件封裝
24-PDIP
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH 8M PARALLEL 44SOIC
暫無價格
參考庫存:44217
存儲器
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC
暫無價格
參考庫存:44225
存儲器
IC FLASH 2M PARALLEL 32DIP
暫無價格
參考庫存:44233
存儲器
IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8SOIJ
暫無價格
參考庫存:44241
存儲器
IC EEPROM 1K SPI 20MHZ 8DIP
暫無價格
參考庫存:44249
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