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FET，MOSFET - 單個
SCT2H12NZGC11參考圖片

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SCT2H12NZGC11

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
1700V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
3.7A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.5 歐姆 @ 1.1A，18V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 900μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
14nC @ 18V
Vgs（最大值）
+22V，-6V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
184pF @ 800V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
35W（Tc）
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-3PFM
封裝/外殼
TO-3PFM，SC-93-3
商品其它信息
優勢價格，SCT2H12NZGC11的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P
暫無價格
參考庫存:37552
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
暫無價格
參考庫存:37560
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 150V 36A TO-263
暫無價格
參考庫存:37568
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
暫無價格
參考庫存:37584
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 85V 96A TO-220
暫無價格
參考庫存:37600
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