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FET，MOSFET - 單個
R6030KNZ1C9參考圖片

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R6030KNZ1C9

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
30A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
130 毫歐 @ 14.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
56nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2350pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
305W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
暫無價格
參考庫存:18406
FET，MOSFET - 單個
D2PAK
暫無價格
參考庫存:46597
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
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FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
暫無價格
參考庫存:21461
FET，MOSFET - 單個
HIGH POWER_NEW
暫無價格
參考庫存:5828
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