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FET,MOSFET - 單個
SI1062X-T1-GE3參考圖片

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SI1062X-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 20V SC-89
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
-
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
420 毫歐 @ 500mA,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
2.7nC @ 8V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
43pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
220mW(Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SC-89-3
封裝/外殼
SC-89,SOT-490
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
暫無價格
參考庫存:17854
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 60A
暫無價格
參考庫存:20421
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:41777
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
暫無價格
參考庫存:41785
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
暫無價格
參考庫存:5874
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