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FET,MOSFET - 單個
SIRA18BDP-T1-GE3參考圖片

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SIRA18BDP-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 30-V PWRPAK SO-8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET? Gen IV
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
19A(Ta),40A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
6.83 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
19nC @ 10V
Vgs(最大值)
+20V,-16V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
680pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),17W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? SO-8
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
暫無價格
參考庫存:23687
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 31A DPAK
暫無價格
參考庫存:23695
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262
暫無價格
參考庫存:23703
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
暫無價格
參考庫存:23711
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
暫無價格
參考庫存:23719
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