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FET，MOSFET - 單個
EPC2022參考圖片

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EPC2022

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  • GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
eGaN?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
60A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
3.2 毫歐 @ 25A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 12mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
2.5V @ 12mA
Vgs（最大值）
+6V，-4V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1500pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
模具
封裝/外殼
模具
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 77A
暫無價格
參考庫存:47152
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
暫無價格
參考庫存:47160
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
暫無價格
參考庫存:47168
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:47176
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:47184
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