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FET,MOSFET - 單個
SIR158DP-T1-GE3參考圖片

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SIR158DP-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
60A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
1.8 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
130nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
4980pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
5.4W(Ta),83W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? SO-8
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
商品其它信息
優勢價格,SIR158DP-T1-GE3的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 13A SO8FL
暫無價格
參考庫存:59547
FET,MOSFET - 單個
N-CHANNEL 600 V, 0.95 OHM TYP.,
暫無價格
參考庫存:59563
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 22.4A U8FL
暫無價格
參考庫存:59571
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
暫無價格
參考庫存:59579
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
暫無價格
參考庫存:88638
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