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FET，MOSFET - 單個
SIHJ7N65E-T1-GE3參考圖片

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SIHJ7N65E-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
7.9A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
598 毫歐 @ 3.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
44nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
820pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
96W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? SO-8
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
商品其它信息
優勢價格，SIHJ7N65E-T1-GE3的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-220
暫無價格
參考庫存:33394
FET，MOSFET - 單個
IXTY1N80P TRL
暫無價格
參考庫存:33402
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
暫無價格
參考庫存:7590
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247
暫無價格
參考庫存:21092
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N CH 33V 14A WMINI8
暫無價格
參考庫存:33422
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