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FET，MOSFET - 單個
SQM120N10-3M8_GE3參考圖片

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SQM120N10-3M8_GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 120A TO263
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
汽車級，AEC-Q101，TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
120A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
3.8 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
190nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
7230pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-263（D2Pak）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
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