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FET,MOSFET - 單個
SQV120N10-3M8_GE3參考圖片

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SQV120N10-3M8_GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
汽車級,AEC-Q101,TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
120A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
3.8 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
190nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
7230pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
250W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-262-3
封裝/外殼
TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH
暫無價格
參考庫存:38015
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
暫無價格
參考庫存:38031
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
暫無價格
參考庫存:38039
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
暫無價格
參考庫存:38047
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 5X6 DFN
暫無價格
參考庫存:38063
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