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FET，MOSFET - 單個
IPD30N06S215ATMA2參考圖片

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IPD30N06S215ATMA2

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
OptiMOS?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
55V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
30A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
14.7 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 80μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
110nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1485pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
136W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO252-3-11
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
暫無價格
參考庫存:35341
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 38A DPAK
暫無價格
參考庫存:35349
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
暫無價格
參考庫存:35357
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 43A I-PAK
暫無價格
參考庫存:35365
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
暫無價格
參考庫存:35373
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