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FET,MOSFET - 單個
TSM180N03PQ33 RGG參考圖片

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TSM180N03PQ33 RGG

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
25A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
18 毫歐 @ 12A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
4.1nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
345pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
21W(Tc)
工作溫度
150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-PDFN(3x3)
封裝/外殼
8-PowerWDFN
商品其它信息
優勢價格,TSM180N03PQ33 RGG的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
暫無價格
參考庫存:31055
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
暫無價格
參考庫存:31063
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
暫無價格
參考庫存:31071
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
暫無價格
參考庫存:31079
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
暫無價格
參考庫存:31087
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