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FET,MOSFET - 單個
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IPD60R180P7SAUMA1

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數(shù)據手冊
參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
標準卷帶
系列
CoolMOS? P7
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
18A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
180 毫歐 @ 5.6A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 280μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
25nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1081pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
72W(Tc)
工作溫度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO252-3
封裝/外殼
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
商品其它信息
優(yōu)勢價格,IPD60R180P7SAUMA1的國內現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB
暫無價格
參考庫存:32455
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:32463
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:32471
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 50V 200MA 3-DFN
暫無價格
參考庫存:32479
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 70A TO220AB
暫無價格
參考庫存:32487
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