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FET，MOSFET - 單個
SI4058DY-T1-GE3參考圖片

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SI4058DY-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
10.3A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
26 毫歐 @ 10A, 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.8V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
18nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
690pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5.6W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SOIC
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 83A TO-262
暫無價格
參考庫存:29703
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
暫無價格
參考庫存:29711
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
暫無價格
參考庫存:29719
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
暫無價格
參考庫存:29727
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
暫無價格
參考庫存:29735
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