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FET，MOSFET - 單個
IPN80R1K2P7ATMA1參考圖片

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IPN80R1K2P7ATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
CoolMOS? P7
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
4.5A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.2 歐姆 @ 1.7A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 80μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
11nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
300pF @ 500V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
6.8W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-SOT223
封裝/外殼
TO-261-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223
暫無價格
參考庫存:20626
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 0.1A EMT3FM
暫無價格
參考庫存:38201
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V SOT883
暫無價格
參考庫存:38283
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
暫無價格
參考庫存:290730
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 73A 8PDFN
暫無價格
參考庫存:18250
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