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FET，MOSFET - 單個
IPB60R190C6ATMA1參考圖片

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IPB60R190C6ATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
CoolMOS?
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
20.2A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
190 毫歐 @ 9.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 630μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
63nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1400pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
151W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK（TO-263AB）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
暫無價格
參考庫存:39689
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6
暫無價格
參考庫存:39697
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:39705
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:39713
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:39721
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