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FET,MOSFET - 單個
SPB11N60C3ATMA1參考圖片

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SPB11N60C3ATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
CoolMOS?
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
11A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
380 毫歐 @ 7A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 500μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
60nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1200pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO263-3-2
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 26A TO-3PB
暫無價格
參考庫存:37565
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP
暫無價格
參考庫存:37581
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 50V 70MA CP
暫無價格
參考庫存:37597
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
暫無價格
參考庫存:37621
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP3
暫無價格
參考庫存:37629
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