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FET，MOSFET - 單個
SPB11N60C3ATMA1參考圖片

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SPB11N60C3ATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
CoolMOS?
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
11A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
380 毫歐 @ 7A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.9V @ 500μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
60nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1200pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO263-3-2
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
暫無價格
參考庫存:7834
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CHAN 30V
暫無價格
參考庫存:16488
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CHAN 40-V POWERPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:16494
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 150V 420MA SC70
暫無價格
參考庫存:31496
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT-23
暫無價格
參考庫存:106500
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