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FET,MOSFET - 單個
IPP60R080P7XKSA1參考圖片

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IPP60R080P7XKSA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
CoolMOS? P7
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
37A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
80 毫歐 @ 11.8A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 590μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
51nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
2180pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
129W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO220-3
封裝/外殼
TO-220-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:35275
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
暫無價格
參考庫存:35283
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
暫無價格
參考庫存:35291
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 26A TO-220
暫無價格
參考庫存:35299
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
暫無價格
參考庫存:35315
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