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FET,MOSFET - 單個
IGT60R190D1SATMA1參考圖片

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IGT60R190D1SATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
CoolGaN?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
12.5A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
-
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
1,6V @ 960μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
1,6V @ 960μA
Vgs(最大值)
-10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
157pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
55,5W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-HSOF-8-3
封裝/外殼
8-PowerSFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
暫無價格
參考庫存:52294
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CHANNEL 650V 4A IPAK
暫無價格
參考庫存:48245
FET,MOSFET - 單個
SUPERFET3 650V TO220F PKG
暫無價格
參考庫存:3097304
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 30A 136A 5DFN
暫無價格
參考庫存:48255
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 84A TO-247
暫無價格
參考庫存:48263
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