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FET，MOSFET - 單個
TPH3207WS參考圖片

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TPH3207WS

  • Transphorm
  • 最新
  • GANFET N-CH 650V 50A TO247
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
50A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
41 毫歐 @ 32A，8V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.65V @ 700μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
42nC @ 8V
Vgs（最大值）
±18V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2197pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
178W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247-3
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
暫無價格
參考庫存:61280
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
暫無價格
參考庫存:61288
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
暫無價格
參考庫存:61304
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
暫無價格
參考庫存:61312
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
暫無價格
參考庫存:61320
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