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FET,MOSFET - 單個
IRL60B216參考圖片

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IRL60B216

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HEXFET?,StrongIRFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
195A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
1.9 毫歐 @ 100A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
258nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
15570pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
375W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3
商品其它信息
優勢價格,IRL60B216的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
暫無價格
參考庫存:34514
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK
暫無價格
參考庫存:34522
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:34530
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
暫無價格
參考庫存:34546
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC
暫無價格
參考庫存:34554
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