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FET，MOSFET - 單個
IXTY1R6N100D2參考圖片

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IXTY1R6N100D2

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
1000V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
1.6A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
10 歐姆 @ 800mA，0V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
27nC @ 5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
645pF @ 25V
FET 功能
耗盡模式
功率耗散（最大值）
100W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-252，（D-Pak）
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 8PQFN
暫無價格
參考庫存:25975
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP
暫無價格
參考庫存:25983
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 2A SOT563
暫無價格
參考庫存:25991
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
暫無價格
參考庫存:25999
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6
暫無價格
參考庫存:26015
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