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FET，MOSFET - 單個
IXFY8N65X2參考圖片

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IXFY8N65X2

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HiPerFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
8A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
450 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
11nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
790pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-252AA
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
暫無價格
參考庫存:21566
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V LFPAK
暫無價格
參考庫存:21574
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 22A LPTS
暫無價格
參考庫存:21582
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
暫無價格
參考庫存:21590
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 17A TO220-3
暫無價格
參考庫存:5274
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