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FET,MOSFET - 單個
STP12N65M5參考圖片

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STP12N65M5

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
MDmesh? V
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
8.5A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
430 毫歐 @ 4.3A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
22nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
900pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
70W(Tc)
工作溫度
150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
暫無價格
參考庫存:46234
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 7A TO252
暫無價格
參考庫存:13736
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3
暫無價格
參考庫存:211238
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
暫無價格
參考庫存:211240
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3
暫無價格
參考庫存:1426242
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