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FET,MOSFET - 單個

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BSM180C12P3C202

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參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss)
1200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
180A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
-
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
5.6V @ 50mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
5.6V @ 50mA
Vgs(最大值)
+22V,-4V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
9000pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
880W(Tc)
工作溫度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
底座安裝
供應商器件封裝
模塊
封裝/外殼
模塊
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 19A TO-220FP
暫無價格
參考庫存:38717
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 65A U8FL
暫無價格
參考庫存:38733
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 45A TO-220ML
暫無價格
參考庫存:38741
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V TO-254AA
暫無價格
參考庫存:38749
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
暫無價格
參考庫存:38757
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