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FET,MOSFET - 單個
SIHA2N80E-GE3參考圖片

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SIHA2N80E-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
剪切帶(CT)
系列
E
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
2.8A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
2.75 歐姆 @ 1A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
19.6nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
315pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
29W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-220 整包
封裝/外殼
TO-220-3 整包
商品其它信息
優(yōu)勢價格,SIHA2N80E-GE3的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 15A TO-252
暫無價格
參考庫存:50621
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:50645
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
暫無價格
參考庫存:50653
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 40V 36A TO-263
暫無價格
參考庫存:50685
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:50693
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