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FET,MOSFET - 單個
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IPP086N10N3GXKSA1

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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
OptiMOS?
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
80A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
8.6 毫歐 @ 73A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 75μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
55nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
3980pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
PG-TO220-3
封裝/外殼
TO-220-3
商品其它信息
優(yōu)勢價格,IPP086N10N3GXKSA1的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 300MA SOT323
暫無價格
參考庫存:32632
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
暫無價格
參考庫存:32648
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:32656
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
暫無價格
參考庫存:32664
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
暫無價格
參考庫存:32680
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