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FET，MOSFET - 單個
FQD2N60CTM參考圖片

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FQD2N60CTM

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
QFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
1.9A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
4.7 歐姆 @ 950mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
12nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
235pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），44W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D-Pak
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
暫無價格
參考庫存:17630
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
暫無價格
參考庫存:4102
FET，MOSFET - 單個
RS1E281BN IS LOW ON-RESISTANCE A
暫無價格
參考庫存:15140
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
暫無價格
參考庫存:107644
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 8SON
暫無價格
參考庫存:215146
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