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FET,MOSFET - 單個
IXTH62N65X2參考圖片

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IXTH62N65X2

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 650V 62A TO-247
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
62A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
52 毫歐 @ 31A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 4mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
104nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
5940pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
780W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
暫無價格
參考庫存:3603
FET,MOSFET - 單個
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FET,MOSFET - 單個
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參考庫存:17086
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