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FET,MOSFET - 單個
IXTY1N80P參考圖片

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IXTY1N80P

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 800V 1A TO-252
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
Polar?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
1A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
14 歐姆 @ 500mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 50μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
9nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
250pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
42W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-252,(D-Pak)
封裝/外殼
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
暫無價格
參考庫存:47303
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
暫無價格
參考庫存:47343
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
暫無價格
參考庫存:47359
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 34A TO220AB
暫無價格
參考庫存:47375
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK
暫無價格
參考庫存:47415
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