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FET，MOSFET - 單個
RYM002N05T2CL參考圖片

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RYM002N05T2CL

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
50V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
200mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
0.9V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
2.2 歐姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
800mV @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
800mV @ 1mA
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
26pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
VMT3
封裝/外殼
SOT-723
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
暫無價格
參考庫存:401652
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:44463
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
暫無價格
參考庫存:44471
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
暫無價格
參考庫存:44479
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:14178
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