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FET，MOSFET - 單個
R6507KNJTL參考圖片

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R6507KNJTL

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • NCH 650V 7A POWER MOSFET. R6507
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
7A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
665 毫歐 @ 2.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 200μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
14.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
470pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
78W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
LPTS
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
暫無價格
參考庫存:50006
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
暫無價格
參考庫存:50014
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P
暫無價格
參考庫存:50022
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK
暫無價格
參考庫存:50030
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8
暫無價格
參考庫存:50038
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