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FET,MOSFET - 單個
RE1E002SPTCL參考圖片

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RE1E002SPTCL

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
250mA(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
1.4 歐姆 @ 250mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
2.5V @ 1mA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
30pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)
工作溫度
150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
EMT3F(SOT-416FL)
封裝/外殼
SC-89,SOT-490
商品其它信息
優勢價格,RE1E002SPTCL的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK
暫無價格
參考庫存:22148
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO263
暫無價格
參考庫存:22156
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
暫無價格
參考庫存:22164
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V
暫無價格
參考庫存:6788
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
暫無價格
參考庫存:22174
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