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FET,MOSFET - 單個
APTM120DA30CT1G參考圖片

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APTM120DA30CT1G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
POWER MOS 8?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
1200V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
31A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
360 毫歐 @ 25A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
560nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
14560pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
657W(Tc)
工作溫度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
底座安裝
供應商器件封裝
SP1
封裝/外殼
SP1
商品其它信息
優勢價格,APTM120DA30CT1G的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
IXFA36N55X2
暫無價格
參考庫存:15712
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 80A TO-264
暫無價格
參考庫存:13339
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 47A TO-264
暫無價格
參考庫存:41944
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P
暫無價格
參考庫存:41952
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
暫無價格
參考庫存:41960
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