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FET,MOSFET - 單個
SIS429DNT-T1-GE3參考圖片

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SIS429DNT-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
20A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
21 毫歐 @ 10.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
50nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1350pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
27.8W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? 1212-8
封裝/外殼
PowerPAK? 1212-8
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F
暫無價格
參考庫存:49081
FET,MOSFET - 單個
40V 7.3 MOHM T6 S08FL SIN
暫無價格
參考庫存:49089
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
暫無價格
參考庫存:49097
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323
暫無價格
參考庫存:49105
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
暫無價格
參考庫存:9914
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