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FET，MOSFET - 單個
APT30M19JVR參考圖片

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APT30M19JVR

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
POWER MOS V?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
300V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
130A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
19 毫歐 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
975nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
21600pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
700W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
供應商器件封裝
ISOTOP?
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
商品其它信息
優勢價格，APT30M19JVR的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH
暫無價格
參考庫存:42173
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
暫無價格
參考庫存:42181
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:42189
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
暫無價格
參考庫存:42197
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
暫無價格
參考庫存:42205
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